时间：2025/8/5 19:54:08
阅读：37
IXGE50N60Z是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高功率密度的应用，如电源转换、电机控制和工业设备。该器件采用TO-247封装，具备优异的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：600V
漏极-栅极电压（VDG）：600V
源极-栅极电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：50A
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
IXGE50N60Z的主要特性包括其高电压和高电流能力，能够在高压条件下提供稳定的性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高负载条件下也能保持较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备优良的热阻性能，有助于在高功率应用中有效散热，延长器件的使用寿命。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
IXGE50N60Z的封装设计（TO-247）使其易于安装和散热管理，同时提供了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。该MOSFET的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，并降低了驱动损耗。此外，IXYS公司提供了详细的规格书和应用笔记，便于工程师在设计过程中进行参考和优化。
IXGE50N60Z广泛应用于各种高功率和高压场景，如直流-直流转换器、交流-直流电源、工业自动化控制系统以及电动工具和电机驱动。其高效率和高可靠性也使其成为电动汽车充电设备和太阳能逆变器等新兴领域的理想选择。在这些应用中，IXGE50N60Z能够提供稳定的电气性能，满足苛刻的工程需求。
IXFK50N60P, IRFP460LC, FCP50N60Z
