类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1000V
　　连续漏极电流(Id)：50A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V @ 1mA
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.25Ω
　　最大功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

IXGE50N100Z具备多项优异特性，使其适用于高性能功率电子设备。
　　首先，其漏源电压高达1000V，能够承受高电压应力，适用于高压电源转换器和工业电机控制应用。
　　其次，连续漏极电流可达50A，确保该器件在高负载条件下依然能够稳定工作。
　　导通电阻Rds(on)最大为0.25Ω，较低的导通损耗使其在高频开关应用中具有更高的效率。
　　栅极阈值电压为4.5V，在标准MOSFET驱动电路中可直接使用，兼容多种控制IC。
　　此外，该器件的封装采用TO-247AC，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　IXGE50N100Z还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。

IXGE50N100Z广泛应用于各类高功率电子系统中。其高压、高电流和低导通电阻的特性使其非常适合用于高频电源转换器，如DC-DC转换器、AC-DC电源和UPS不间断电源系统。
　　在工业自动化和电机控制领域，IXGE50N100Z可用于驱动大功率电机和继电器，提供高效的功率控制。
　　此外，该器件也常用于太阳能逆变器和储能系统，支持可再生能源设备的高效运行。
　　由于其出色的热稳定性和过载能力，IXGE50N100Z还适用于电焊机、高频感应加热设备和高功率LED驱动电源等应用场景。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器和高压电池管理系统，确保电力传输的稳定性和安全性。

IXGH50N100Z, IRGP50B60PD1, FGL50N100ANTD