时间：2025/8/6 5:17:36
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IXGC16N60B2 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）推出的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率电源转换系统设计。该器件采用先进的高密度沟道技术，具备较低的导通电阻和开关损耗，适用于各种高频率开关电源应用。IXGC16N60B2 的最大漏源电压（VDS）为 600V，连续漏极电流（ID）可达 16A，非常适合用于电源适配器、电池充电器、电机控制和照明系统等。该器件采用 TO-247 通孔封装，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：16A（在TC=100℃）
脉冲漏极电流（IDM）：64A
导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：52nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1400pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
IXGC16N60B2 采用先进的高压沟槽 MOS 技术，具备低导通电阻和出色的开关性能。其导通电阻 RDS(on) 最大值为 0.32Ω，确保在高电流条件下也能保持较低的导通损耗。该器件的栅极电荷（Qg）仅为 52nC，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。此外，其输入电容（Ciss）为 1400pF，支持快速的开关速度，适用于高效率电源拓扑结构。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度应用。此外，其工作温度范围覆盖 -55℃ 至 150℃，适用于工业级和汽车电子应用。
IXGC16N60B2 还具备较高的短路耐受能力，使其在负载突变或异常工况下仍能保持稳定运行。其栅极氧化层设计优化，提高了栅极稳定性，减少了栅极漏电流，从而提升了长期工作的可靠性。
IXGC16N60B2 广泛应用于各类中高功率电源系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、UPS 系统、LED 照明驱动器、工业电机控制以及电池充电器等。由于其具备高耐压和低导通电阻特性，也非常适用于 LLC 谐振变换器、PFC（功率因数校正）电路以及高频逆变器等拓扑结构。此外，该器件也适用于新能源系统中的光伏逆变器和储能电源系统。
IXFH16N60P、IRFP4668、STF16N60DM2、SiHP06N60EF
