时间：2025/12/29 14:40:50
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IXGA7N60C是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的平面技术，提供了较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于各种高频率、高效率的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大）
功率耗散(Pd)：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
IXGA7N60C具有多个优异的电气特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其600V的漏源电压能力使其适用于高电压输入的电源系统。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，确保了在各种工作条件下的稳定运行。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以满足高功率密度设计的需求。最后，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的热稳定性，确保在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行。
另一个显著特性是其快速开关能力，IXGA7N60C具有较低的输入电容和反馈电容，从而减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体系统效率。同时，其短路耐受能力也增强了器件在异常工作条件下的稳定性。这些特性共同作用，使IXGA7N60C成为一款适用于高可靠性、高性能电源系统的理想选择。
IXGA7N60C适用于多种电力电子系统，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及不间断电源(UPS)等。其高电压能力和良好的导通性能特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源设备。此外，在工业自动化和通信电源系统中，该器件也常用于功率因数校正(PFC)电路，以提高能源利用率。由于其优异的热性能和高耐压能力，IXGA7N60C还可用于需要长时间稳定运行的工业控制和自动化设备中。
STP7NK60Z, FQA7N60, IRFGB40N60
