类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　漏源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.115Ω（最大值 0.145Ω）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXGA75N60BD1 的设计优化了其导通电阻与开关性能之间的平衡，从而在高频率下仍能保持较低的功率损耗。其高雪崩能量承受能力使其在突变负载或感性负载条件下具有良好的稳定性。该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，适用于要求高可靠性的电源系统。此外，其 TO-247 封装结构有助于实现良好的散热性能，确保在高功率应用中稳定运行。
　　该 MOSFET 还具备快速恢复二极管特性，其内置的反向并联二极管在续流过程中具有较低的正向压降和较短的恢复时间，有助于提升系统效率并减少电磁干扰（EMI）。同时，其封装设计支持直接安装在散热片上，便于热管理。
　　IXGA75N60BD1 在制造过程中采用了先进的沟槽栅技术，提升了器件的开关速度和导通性能。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）特性使其在高频开关应用中表现出色，适用于诸如 DC-DC 转换器、逆变器和马达控制等电路。

IXGA75N60BD1 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，例如：
　　- 工业电源和开关电源（SMPS）
　　- 高频逆变器（如太阳能逆变器）
　　- 电机驱动和变频器
　　- 不间断电源（UPS）系统
　　- 电池充电器
　　- 电焊设备
　　其优异的开关性能和导通能力使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）和晶闸管的理想选择。

STF75N60DM2, FCP75N60, FDPF75N60, IRGP75N60