型号：IXGA15N120B2
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：15A
　　最大工作温度：150°C
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（在IC=15A时）
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：TO-247
　　技术：沟槽型IGBT

IXGA15N120B2 具备多项先进的性能特性，使其在高电压和高功率应用中表现出色。首先，其1200V的击穿电压使其适用于中高压系统，例如工业变频器和太阳能逆变器等。该器件采用英飞凌的沟槽型IGBT技术，使得导通压降显著降低，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其次，该IGBT具备良好的开关特性，具有较低的开关损耗，这使得其在高频开关应用中表现优异，有助于减小功率变换器的体积和提高系统的功率密度。此外，该器件具有较强的短路耐受能力，能够在瞬态故障条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
　　热性能方面，IXGA15N120B2在150°C的高温环境下仍能正常工作，适应严苛的工作环境。其TO-247封装形式具有良好的散热能力，有助于提高器件的长期稳定性和使用寿命。该器件还具备较高的抗电磁干扰（EMI）能力，适合在复杂的电磁环境中使用。

IXGA15N120B2 主要应用于需要高电压和高可靠性的功率电子系统。常见的应用包括工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、焊接电源以及新能源系统中的太阳能逆变器和储能系统。由于其优异的开关特性和热稳定性，该IGBT也适用于需要高频工作的场合，如谐振变换器和软开关电源拓扑。
　　在新能源领域，IXGA15N120B2 被广泛用于光伏逆变器中，其高电压等级和低损耗特性有助于提高系统的能量转换效率，并减少系统散热需求。在工业自动化领域，该器件用于伺服驱动器和变频器中，以实现对电机的高效控制。同时，其良好的短路保护能力也使其适用于需要高可靠性的工业设备。
　　此外，该IGBT还可用于电力电子负载测试设备、电动汽车充电系统以及智能电网相关设备，为现代电力电子系统提供稳定可靠的功率开关解决方案。

IXGA15N120C2、FGA15N120ANTD、STGY15NC120HFD