IXGA150N30TC是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT模块,广泛应用于高电流和高电压的电力电子系统中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,提供了高可靠性和高效的功率转换能力。IXGA150N30TC采用先进的封装技术,确保在高功率密度应用中的稳定运行。
集电极-发射极电压(Vce):300V
集电极电流(Ic):150A
短路电流能力:600A(典型值)
最大工作温度:150℃
封装类型:双列直插式(DIP)模块封装
绝缘耐压:2500Vrms(1分钟)
栅极驱动电压范围:-15V至+20V
导通压降:约2.1V(在Ic=150A时)
IXGA150N30TC采用了先进的沟槽栅场截止IGBT技术,提供较低的导通压降和开关损耗,从而提高整体系统效率。该模块内置的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗,有助于减少高频开关应用中的能量损失。此外,该模块的封装设计具备良好的散热性能,适用于高功率密度应用,如工业电机驱动、不间断电源(UPS)和可再生能源系统。
模块内部采用了多芯片并联技术,以提高电流承载能力和可靠性。其绝缘设计满足国际安全标准,确保在高压环境下的安全运行。IXGA150N30TC还具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的过载电流,适用于需要高可靠性的工业和电力系统。
IXGA150N30TC广泛应用于各种高功率电子设备,包括工业变频器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器、电焊机以及电动汽车充电系统。由于其高电流容量和优异的短路保护能力,该模块特别适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
IXGA150N30TD2