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IXGA150N30TC 发布时间 时间:2025/8/5 21:43:00 查看 阅读:14

IXGA150N30TC是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT模块,广泛应用于高电流和高电压的电力电子系统中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,提供了高可靠性和高效的功率转换能力。IXGA150N30TC采用先进的封装技术,确保在高功率密度应用中的稳定运行。

参数

集电极-发射极电压(Vce):300V
  集电极电流(Ic):150A
  短路电流能力:600A(典型值)
  最大工作温度:150℃
  封装类型:双列直插式(DIP)模块封装
  绝缘耐压:2500Vrms(1分钟)
  栅极驱动电压范围:-15V至+20V
  导通压降:约2.1V(在Ic=150A时)

特性

IXGA150N30TC采用了先进的沟槽栅场截止IGBT技术,提供较低的导通压降和开关损耗,从而提高整体系统效率。该模块内置的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗,有助于减少高频开关应用中的能量损失。此外,该模块的封装设计具备良好的散热性能,适用于高功率密度应用,如工业电机驱动、不间断电源(UPS)和可再生能源系统。
  模块内部采用了多芯片并联技术,以提高电流承载能力和可靠性。其绝缘设计满足国际安全标准,确保在高压环境下的安全运行。IXGA150N30TC还具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的过载电流,适用于需要高可靠性的工业和电力系统。

应用

IXGA150N30TC广泛应用于各种高功率电子设备,包括工业变频器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器、电焊机以及电动汽车充电系统。由于其高电流容量和优异的短路保护能力,该模块特别适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。

替代型号

IXGA150N30TD2

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IXGA150N30TC参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
  • 供应商设备封装TO-263AA
  • 包装管件