时间：2025/8/5 13:24:58
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IXGA12N120A3-TRL 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高功率、高电压 N 沟道 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于工业电机控制、电源系统、逆变器以及各种高电压、高电流的开关电路。该 MOSFET 采用了先进的沟道技术，能够在高电压条件下提供出色的导通性能和开关特性，同时具备较高的耐用性和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）@ 25°C：12A
栅极阈值电压（VGS(th)）：约 4.5V（范围通常为 3.5V 至 6.5V）
导通电阻（RDS(on)）：约 1.2Ω（典型值）
最大功耗（PD）：约 170W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
技术：MOSFET，增强型
极性：N 沟道
配置：单通道
安装类型：通孔
IXGA12N120A3-TRL 的核心优势在于其在高压和高功率应用中的卓越表现。首先，其 1200V 的漏源电压额定值使其适用于中高压电源系统，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）和可再生能源逆变器等。该 MOSFET 在高温环境下依然能保持稳定的性能，得益于其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），这在高功率密度设计中尤为重要。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，从而提升整体能效。此外，其快速开关能力减少了开关损耗，有助于实现高频操作，提高系统响应速度并减小无源元件的体积。栅极阈值电压的合理设计也确保了其与标准驱动电路的兼容性，便于设计和集成。
在可靠性方面，IXGA12N120A3-TRL 采用了坚固的封装结构和先进的芯片设计，具备良好的抗雪崩能力和过热耐受性。这使其在高应力工作条件下（如短路或过载情况）仍能保持稳定运行，减少器件失效的风险。
IXGA12N120A3-TRL 适用于多种高功率电子系统。它在工业自动化设备中被广泛用于电机驱动器和电源管理模块。此外，它在可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能转换系统）中发挥着重要作用，能够高效地将直流电转换为交流电供电网使用。在不间断电源（UPS）系统中，该 MOSFET 能提供高效的电力切换和稳定输出。同时，它也可用于焊接设备、感应加热系统以及高功率 DC-DC 转换器等应用场合。
IXFH12N120P
IXFN12N120
STY12N120K5
STY12N120K5-TR
