IXFZ140N25T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET,主要用于高电流、高效率的电力电子应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电动车充电系统等应用场景。其封装形式为TO-264,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):250V
连续漏极电流(ID):140A
RDS(on):最大值为8.5mΩ(典型值为6.5mΩ)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-264
功率耗散(PD):300W
IXFZ140N25T具备多项优异特性,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅技术,具有出色的开关性能,适用于高频工作环境,从而减小外围元件的尺寸并提升整体功率密度。
此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并具备良好的短路耐受能力。其封装设计优化了热管理,便于与散热片结合使用,提高了散热效率。
在可靠性方面,IXFZ140N25T通过了严格的工业标准测试,具备较高的耐用性和稳定性,适用于要求苛刻的工业和汽车电子系统。同时,该器件具备较强的抗干扰能力,能够适应复杂电磁环境,确保系统运行的稳定性。
IXFZ140N25T广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如,在工业电源系统中,它可作为主开关元件,用于AC-DC或DC-DC转换器模块,以实现高效的能量转换。在电机驱动和逆变器系统中,该MOSFET可用于H桥拓扑结构,实现电机的高效控制。
此外,该器件也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统,用于将直流电能转换为交流电能供家庭或电网使用。在电动车充电系统中,IXFZ140N25T可作为主功率开关,用于控制电能的高效传输和转换。
其他应用还包括UPS(不间断电源)、焊机电源、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分等,其优异的性能和可靠性使其成为多种高功率应用的首选器件。
IXFN140N25T, IRFP4468PbF, STW140N2F6, SiHP140N25T