您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFZ140N25T

IXFZ140N25T 发布时间 时间:2025/8/5 22:51:19 查看 阅读:20

IXFZ140N25T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET,主要用于高电流、高效率的电力电子应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电动车充电系统等应用场景。其封装形式为TO-264,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):250V
  连续漏极电流(ID):140A
  RDS(on):最大值为8.5mΩ(典型值为6.5mΩ)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-264
  功率耗散(PD):300W

特性

IXFZ140N25T具备多项优异特性,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽栅技术,具有出色的开关性能,适用于高频工作环境,从而减小外围元件的尺寸并提升整体功率密度。
  此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并具备良好的短路耐受能力。其封装设计优化了热管理,便于与散热片结合使用,提高了散热效率。
  在可靠性方面,IXFZ140N25T通过了严格的工业标准测试,具备较高的耐用性和稳定性,适用于要求苛刻的工业和汽车电子系统。同时,该器件具备较强的抗干扰能力,能够适应复杂电磁环境,确保系统运行的稳定性。

应用

IXFZ140N25T广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如,在工业电源系统中,它可作为主开关元件,用于AC-DC或DC-DC转换器模块,以实现高效的能量转换。在电机驱动和逆变器系统中,该MOSFET可用于H桥拓扑结构,实现电机的高效控制。
  此外,该器件也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统,用于将直流电能转换为交流电能供家庭或电网使用。在电动车充电系统中,IXFZ140N25T可作为主功率开关,用于控制电能的高效传输和转换。
  其他应用还包括UPS(不间断电源)、焊机电源、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分等,其优异的性能和可靠性使其成为多种高功率应用的首选器件。

替代型号

IXFN140N25T, IRFP4468PbF, STW140N2F6, SiHP140N25T

IXFZ140N25T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFZ140N25T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFZ140N25T参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格20 : ¥272.77300管件
  • 系列HiPerFET?, Trench
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 60A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)255 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)19000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)445W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DE475
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线