时间：2025/8/6 3:59:50
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IXFX78N50P3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高电压的开关应用。该器件采用 TO-247 封装，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机控制器和逆变器等。IXFX78N50P3 的设计提供了出色的导通和开关性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：78A
最大漏-源电压：500V
栅极-源极电压：±30V
导通电阻：0.12Ω（最大）
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-247
IXFX78N50P3 具备多个显著的电气和热特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的最大漏极电流为 78A，允许在高负载条件下保持稳定的导通状态，适用于需要大电流驱动的应用场景。其最大漏-源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，从而适用于高电压开关电路。
其次，IXFX78N50P3 的导通电阻仅为 0.12Ω，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。低导通电阻也意味着在高电流下温升较小，有助于提升器件的可靠性和寿命。
此外，该器件的栅极-源极电压为 ±30V，提供了良好的栅极控制特性，使得驱动电路设计更加简单高效。栅极驱动电压范围宽，便于与各种控制 IC 和驱动器配合使用。
IXFX78N50P3 的最大功率耗散为 300W，表明其具备较强的散热能力。在高功率工作条件下，器件能够有效散发热量，从而避免过热损坏。TO-247 封装设计进一步增强了其散热性能，适用于需要长时间高负荷运行的应用。
最后，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端温度条件下稳定工作。这一特性使其适用于工业、汽车和航空航天等对环境温度要求较高的领域。
IXFX78N50P3 由于其优异的电气和热性能，广泛应用于多个高功率电子系统中。
在电源转换器领域，IXFX78N50P3 常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和高频开关电源中，用于实现高效的能量转换。其高耐压和低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。
在电机控制方面，该器件适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和变频器，能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行平稳且高效。此外，IXFX78N50P3 还可用于电动车、电动工具和机器人控制系统中，作为功率开关的核心元件。
在逆变器和 UPS（不间断电源）系统中，IXFX78N50P3 可用于构建高效的功率级电路，实现直流电源向交流电源的转换。其高耐压和高电流能力使其成为太阳能逆变器、储能系统和工业自动化设备的理想选择。
此外，该 MOSFET 还可用于工业焊接设备、电镀电源和高频感应加热系统等高功率应用，提供稳定的开关性能和较长的使用寿命。
IXFH78N50P3, IRF2807, STW88N55
