IXFX73N30Q 时间：2025/8/6 8:44:19 阅读：27

IXFX73N30Q 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高电流和高电压特性的功率电子系统中。该器件采用了先进的平面技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适用于电机控制、电源转换、逆变器和电池管理系统等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：73A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：300V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.045Ω（在 VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　功耗（PD）：200W

特性

IXFX73N30Q 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，典型值为 0.045Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，它具有较高的漏极-源极击穿电压（300V），可以承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使得其在不同的栅极驱动条件下都能稳定工作。
　　这款 MOSFET 还具备良好的热性能，采用 TO-247AC 封装，具有较大的散热面积，有助于提高器件的热稳定性并延长使用寿命。此外，IXFX73N30Q 的开关速度较快，能够减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和逆变器系统。
　　由于采用了先进的平面技术，IXFX73N30Q 在高电流条件下依然保持稳定的性能，并且具备良好的抗雪崩击穿能力。这种设计确保了器件在极端工作条件下的可靠性和稳定性。

应用

IXFX73N30Q 广泛应用于各种高功率电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和管理的系统中。常见的应用包括电力电子变换器（如 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器）、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电池管理系统（BMS）。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在电动汽车充电系统和储能系统中也得到了广泛应用。
　　此外，IXFX73N30Q 还可用于开关电源（SMPS）、高功率 LED 驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下依然能够稳定运行，适用于各种苛刻的工业和汽车应用。