时间：2025/8/6 8:19:54
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IXFX64N60Q3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用了先进的硅技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。IXFX64N60Q3 适用于工业控制、电源转换、电机驱动、UPS 系统以及各种电力电子设备中，是一种性能可靠且广泛应用的功率 MOSFET。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600 V
最大漏极电流（ID）：64 A
导通电阻（RDS(on)）：0.21 Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：160 nC（典型值）
封装形式：TO-247AC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功率耗散（PD）：300 W
漏极-源极击穿电压：600 V
栅极-源极电压范围：±30 V
IXFX64N60Q3 采用了 IXYS 的专有高压 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率应用中表现出色。该器件的 RDS(on) 值仅为 0.21 Ω，降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统性能。其 TO-247AC 封装形式提供了良好的散热性能，适合在高温环境下工作。该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够承受高能量脉冲而不损坏。由于其高性能和可靠性，IXFX64N60Q3 在电机控制、DC-AC 逆变器、开关电源和工业自动化系统中得到了广泛应用。
此外，IXFX64N60Q3 还具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于提高开关速度并降低驱动电路的功耗。其栅极驱动电压范围较宽，可在 ±30 V 范围内稳定工作，适应不同的控制电路设计需求。该 MOSFET 还具有良好的并联能力，多个器件可并联使用以提高系统的总功率处理能力。在热性能方面，其封装设计优化了热阻，使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长器件寿命。
IXFX64N60Q3 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统。例如，在电机驱动器中，它用于控制电机的功率输出，实现高效的能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，该 MOSFET 可用于逆变器部分，将直流电转换为交流电，为负载提供稳定的电源。此外，它还广泛用于开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电焊设备和高频电源转换器等应用。由于其高耐压能力和良好的热稳定性，该器件也非常适合用于工业自动化控制设备中的功率开关模块。
IXFH64N60Q2, IXFN64N60Q3, STW64N60DM2, FCP64N60S
