时间：2025/8/6 8:18:19
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IXFX64N50Q3 是一款由 IXYS 公司制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用 TO-247 封装，适用于高功率密度设计，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及工业控制系统等应用。IXFX64N50Q3 采用了先进的平面 DMOS 技术，具有出色的热稳定性和可靠性。
型号：IXFX64N50Q3
封装：TO-247
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：64A
导通电阻（RDS(on)）：0.14Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：90nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
短路耐受能力：有
封装类型：通孔
IXFX64N50Q3 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能。其最大漏源电压为 500V，能够承受高电压应用中的应力，适用于多种高电压开关电路。最大漏极电流为 64A，使得该器件能够承载较大的负载电流，适合用于大功率开关电源和电机控制电路。
该器件的导通电阻 RDS(on) 最大为 0.14Ω，较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）为 90nC，属于中等水平，适合用于高频开关应用，同时兼顾驱动损耗与开关速度的平衡。
IXFX64N50Q3 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，从而提升系统的稳定性和可靠性。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。封装形式为通孔（Through Hole），便于安装和散热片连接，适用于多种 PCB 设计场景。
IXFX64N50Q3 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、工业自动化设备、逆变器以及各种高功率负载管理电路。其高耐压和低导通电阻的特性使其在电源转换系统中表现出色，能够有效降低损耗，提高系统整体效率。
在开关电源中，IXFX64N50Q3 可作为主开关器件，用于 Boost 或 Buck 转换拓扑中，实现高效的电压变换。在电机控制应用中，该器件可用于 H 桥结构，实现电机的双向驱动控制。此外，在 UPS 和储能系统中，该 MOSFET 可用于 DC-AC 逆变器部分，实现直流电能向交流电能的高效转换。
由于其良好的热稳定性和较高的电流承载能力，IXFX64N50Q3 也常用于高功率 LED 驱动器、电池充电器以及工业自动化控制设备中。
IRF2807-7P, STW75N50M5, FDPF64N50U, FQA64N50C
