IXFX44N60是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术,具有较低的导通电阻和高效的开关性能。其额定电压为600V,最大漏极电流可达44A,适用于各种电源转换器、电机驱动和工业控制系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):44A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.175Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
功率耗散(Ptot):200W
IXFX44N60具有优异的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻可以有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。
该器件的封装设计具有良好的热性能,能够有效地将热量散发出去,从而保证长时间工作的可靠性。其栅极驱动电路简单,易于集成到各种功率电路中。
IXFX44N60还具有较高的耐用性和稳定性,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击,适用于恶劣的工作环境。
IXFX44N60广泛应用于各种高功率开关设备中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)和工业自动化控制系统。此外,它还适用于高频逆变器、照明镇流器和消费类电子产品中的功率管理模块。
STF44N60, FCP44N60, SPW44N60