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IXFX44N60 发布时间 时间:2025/8/6 12:09:17 查看 阅读:16

IXFX44N60是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面技术,具有较低的导通电阻和高效的开关性能。其额定电压为600V,最大漏极电流可达44A,适用于各种电源转换器、电机驱动和工业控制系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):600V
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):44A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.175Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Ptot):200W

特性

IXFX44N60具有优异的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻可以有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  该器件的封装设计具有良好的热性能,能够有效地将热量散发出去,从而保证长时间工作的可靠性。其栅极驱动电路简单,易于集成到各种功率电路中。
  IXFX44N60还具有较高的耐用性和稳定性,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击,适用于恶劣的工作环境。

应用

IXFX44N60广泛应用于各种高功率开关设备中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)和工业自动化控制系统。此外,它还适用于高频逆变器、照明镇流器和消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

STF44N60, FCP44N60, SPW44N60

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IXFX44N60参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 22A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs330nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8900pF @ 25V
  • 功率 - 最大560W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件