时间：2025/8/6 10:37:43
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IXFX360N10T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高电压的电力电子系统中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、功率放大器等。该器件采用 TO-264 封装，具备优异的热性能和电流承载能力，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约 3.6mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电压范围（Vgs）：±20V
最大功率耗散（Pd）：约 300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-264
IXFX360N10T 具备低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中保持稳定运行。
其高电流能力和优异的热管理能力使其适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。此外，该 MOSFET 采用先进的硅技术，提供了快速的开关性能，减少了开关损耗，有助于提高整体系统效率。
IXFX360N10T 的栅极驱动电压范围宽，可在不同驱动条件下保持良好的性能。其耐用的封装结构和内部设计使其具备较强的抗过载和短路能力，适用于各种恶劣工作环境。
该 MOSFET 还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于实现更快的开关速度和更高的响应能力，适用于高频开关应用。
IXFX360N10T 常用于各种高功率、高效率的电力电子系统中，例如：工业电机驱动器、大功率 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电动车电驱系统以及太阳能逆变器等。
此外，该器件也适用于高功率音频放大器、负载开关和高电流电源管理应用，能够提供优异的性能和可靠性。
由于其优异的热管理和高电流能力，IXFX360N10T 在汽车电子领域也有广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统等。
IXFH120N10T、IXFH160N10T
