时间：2025/8/6 7:50:57
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IXFX32N80Q3是一款由IXYS公司推出的高功率MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流应用。这款器件采用了先进的平面技术，具备高耐压和大电流处理能力，适用于各种工业和电力电子系统。IXFX32N80Q3的封装形式为TO-247，便于散热和安装，同时具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于提高系统效率并减少热量产生。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：800V
最大漏极电流(ID)：32A
最大功耗(PD)：310W
导通电阻(RDS(on))：典型值0.22Ω
栅极阈值电压(VGS(th))：2.1V~4.0V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-247
IXFX32N80Q3具有多项显著特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达800V，使其适用于高电压环境下的开关应用。其次，该器件具备较大的漏极电流处理能力，最大可达32A，能够支持高功率负载的需求。此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.22Ω，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
其TO-247封装设计不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。该器件还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境。IXFX32N80Q3的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，适合多种驱动电路的应用。
IXFX32N80Q3广泛应用于多种高功率电子系统，如电源转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）和电池充电系统等。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备和电力控制系统。此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、电动车充电系统以及各种开关电源设计中。
STF32N80K5, FQA32N80C, FCP32N80
