时间：2025/8/6 7:11:58
阅读：17
IXFX30N110P是一款由IXYS公司（现为Littelfuse旗下品牌）生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET设计用于高效能的功率转换系统，如电源供应器、DC-DC转换器和电机控制电路。其主要特点是具有高击穿电压（1100V）和较大的连续漏极电流（30A），适合于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1100V
最大漏极电流（Id）：30A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.27Ω（最大值可能为0.33Ω）
栅极电压（Vgs）：±30V
最大功耗（Ptot）：420W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
技术：平面型MOSFET
配置：单管
IXFX30N110P具有高击穿电压，使其能够在高压环境中稳定工作，适用于需要高可靠性的电力电子系统。该MOSFET的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其大电流承载能力支持在高负载条件下保持稳定运行。采用TO-247封装，便于安装散热片，从而优化热管理性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在极端条件下的安全运行。
另外，IXFX30N110P采用了先进的平面技术，提供良好的电气性能和稳定性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频应用。此外，该器件的栅极驱动要求较低，便于与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂性。综合这些特性，IXFX30N110P非常适合用于高效率、高可靠性的功率转换系统。
IXFX30N110P广泛应用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电机驱动和变频器等领域。其高电压和大电流特性使其适用于需要高功率输出的工业控制系统。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统、电焊机、感应加热装置和高功率LED照明系统等应用。由于其优异的开关性能和热管理能力，IXFX30N110P也被广泛用于电动汽车（EV）充电设备和储能系统等新兴领域的功率控制模块中。
IXFH30N110P, IRFP4668, FGL40N110A, FDPF40N110A
