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IXFX240N25X3 发布时间 时间:2025/8/5 22:08:59 查看 阅读:42

IXFX240N25X3是一款由IXYS公司制造的高性能N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于高功率开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及逆变器等电力电子设备中。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅芯片设计,以提供卓越的导通和开关性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):250V
  最大连续漏极电流(ID):240A
  导通电阻(RDS(on)):13.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):120nC(典型值)
  最大功率耗散(PD):750W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXFX240N25X3具备极低的导通电阻(RDS(on)),有效降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件的高电流容量和低热阻特性使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
  此外,IXFX240N25X3采用了坚固的封装设计,具有优异的散热性能,适用于高频率开关应用。其快速开关特性减少了开关损耗,提升了整体能效。
  该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了器件在严苛工作环境下的可靠性和稳定性。其优化的封装结构降低了寄生电感,提高了电磁兼容性(EMC)性能。
  在制造工艺上,IXFX240N25X3采用了高纯度硅材料和先进的封装技术,确保了长期工作的稳定性和耐用性。其高耐温能力使其在高温环境下仍能维持优异的电气性能。

应用

IXFX240N25X3适用于多种高功率电子系统,如工业电源、服务器电源、不间断电源(UPS)、电动车辆充电系统、光伏逆变器、电机驱动器以及DC-DC转换器等。该器件还可用于高频率开关电源和功率因数校正(PFC)电路中。

替代型号

IXFX240N25X3的替代型号包括:IXFN240N25X3、IXFH240N25X3、STY240N25K5、IRFP4668、SiHPX240N25T

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IXFX240N25X3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥273.00000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 120A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)345 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式