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IXFX160N30T 发布时间 时间:2025/8/6 10:04:27 查看 阅读:26

IXFX160N30T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流、高电压的应用场景。该器件设计用于高效能的电源转换系统,例如直流-直流转换器、电机控制器、电源管理模块以及工业自动化设备。IXFX160N30T 提供了良好的导通性能和较低的开关损耗,使其在高频操作中表现优异。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):160A
  漏-源极击穿电压(VDS):300V
  栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约0.045Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-264(通孔封装)

特性

IXFX160N30T 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在高电流条件下导通损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。此外,该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的性能,适用于严苛的工业环境。
  该器件采用了先进的平面技术,确保了在高频操作中的稳定性和可靠性。它的高耐压能力(300V)和大电流承载能力(160A)使其非常适合用于大功率开关应用。此外,IXFX160N30T 的封装设计(TO-264)提供了良好的散热性能,有助于降低热阻并延长器件的使用寿命。
  另一个显著的特性是其栅极驱动要求相对较低,这意味着它可以与标准的栅极驱动器兼容,简化了设计和集成过程。同时,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护功能。

应用

IXFX160N30T 广泛应用于各种电力电子系统中,尤其是在需要高功率密度和高效能转换的场合。常见应用包括但不限于:
  1. 直流-直流转换器(DC/DC Converters):用于电信电源、服务器电源、电池充电系统等;
  2. 逆变器和电机驱动:适用于交流电机控制、工业伺服系统、电动汽车电驱系统等;
  3. 电源管理系统:如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及储能系统;
  4. 工业设备:如焊接机、感应加热设备、电动工具等;
  5. 高频开关电源:包括高频变压器驱动器、谐振变换器等先进拓扑结构的电源系统。
  由于其优异的电气特性和热稳定性,IXFX160N30T 在工业、汽车、能源等多个领域中得到了广泛应用。

替代型号

IXFH160N30T, IXFX160N30PBF, IXFH160N30PBF, STP160N3LLH5, IRFP4668

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IXFX160N30T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列GigaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs335nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds28000pF @ 25V
  • 功率 - 最大1390W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件