您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFX14N100

IXFX14N100 发布时间 时间:2025/12/29 14:47:28 查看 阅读:12

IXFX14N100是一款由IXYS公司(现隶属于Littelfuse)生产的高电压、大功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关电源、电机控制、逆变器、工业电源及电源管理系统等应用。该器件具有高耐压能力、低导通电阻和优良的热性能,使其在高电压和大电流环境下具有优异的性能表现。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1000V
  最大漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.38Ω
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
  最大栅极电压(Vgs):±30V
  最大功耗(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFX14N100具有多个关键特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其1000V的最大漏源电压能力使其适用于高电压输入的电源和逆变器系统,确保器件在高压环境下的稳定运行。其次,导通电阻Rds(on)典型值为0.38Ω,这在同类高压MOSFET中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够承受较高的功耗。其最大连续漏极电流为14A,适用于中高功率开关应用。栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V,支持常见的10V至15V栅极驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。
  IXFX14N100还具有优异的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持稳定,适用于需要高可靠性的工业和电源系统。此外,其低输入电容和门极电荷特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,提升整体系统性能。

应用

IXFX14N100广泛应用于各种高功率电子系统中,如高电压DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动系统以及工业自动化设备。其高耐压特性使其特别适合用于输入电压较高的AC-DC转换器中,例如用于工业控制和电力设备的电源模块。
  在新能源应用中,如太阳能逆变器和储能系统中,IXFX14N100可作为主功率开关使用,实现高效的能量转换。此外,其优异的热性能和抗雪崩能力也使其适用于高频开关电源设计,如高频变压器驱动器和谐振变换器。
  在电机控制方面,该器件可用于中功率变频器和伺服驱动器中,作为主开关器件,实现高效、稳定的电机控制。由于其易于并联使用,IXFX14N100也常用于需要多个MOSFET并联以提高电流能力的系统中。

替代型号

IXFH14N100P, IXFK14N100P, STX14N100M5, FGL14N100NT

IXFX14N100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFX14N100资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFX14N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件