时间:2025/12/29 14:47:28
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IXFX14N100是一款由IXYS公司(现隶属于Littelfuse)生产的高电压、大功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关电源、电机控制、逆变器、工业电源及电源管理系统等应用。该器件具有高耐压能力、低导通电阻和优良的热性能,使其在高电压和大电流环境下具有优异的性能表现。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1000V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):典型值0.38Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
最大栅极电压(Vgs):±30V
最大功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
IXFX14N100具有多个关键特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其1000V的最大漏源电压能力使其适用于高电压输入的电源和逆变器系统,确保器件在高压环境下的稳定运行。其次,导通电阻Rds(on)典型值为0.38Ω,这在同类高压MOSFET中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够承受较高的功耗。其最大连续漏极电流为14A,适用于中高功率开关应用。栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V,支持常见的10V至15V栅极驱动电压,便于与多种驱动电路兼容。
IXFX14N100还具有优异的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持稳定,适用于需要高可靠性的工业和电源系统。此外,其低输入电容和门极电荷特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,提升整体系统性能。
IXFX14N100广泛应用于各种高功率电子系统中,如高电压DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动系统以及工业自动化设备。其高耐压特性使其特别适合用于输入电压较高的AC-DC转换器中,例如用于工业控制和电力设备的电源模块。
在新能源应用中,如太阳能逆变器和储能系统中,IXFX14N100可作为主功率开关使用,实现高效的能量转换。此外,其优异的热性能和抗雪崩能力也使其适用于高频开关电源设计,如高频变压器驱动器和谐振变换器。
在电机控制方面,该器件可用于中功率变频器和伺服驱动器中,作为主开关器件,实现高效、稳定的电机控制。由于其易于并联使用,IXFX14N100也常用于需要多个MOSFET并联以提高电流能力的系统中。
IXFH14N100P, IXFK14N100P, STX14N100M5, FGL14N100NT