您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFV30N50P

IXFV30N50P 发布时间 时间:2024/9/23 11:49:07 查看 阅读:119

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:200毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):500V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:30A
  Id时的Vgs(th)(最大):5V 4mA
  闸电荷(Qg) Vgs:70nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):4150pF 25V
  功率-最大:460W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:PLUS-220
  包装:管件

IXFV30N50P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFV30N50P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4150pF @ 25V
  • 功率 - 最大460W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3(SMT)标片
  • 供应商设备封装PLUS220
  • 包装管件