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IXFT80N65X2HV-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 21:20:09 查看 阅读:31

IXFT80N65X2HV-TRL是一款由Littelfuse公司生产的高性能功率MOSFET,广泛应用于高功率密度电源、电机驱动以及逆变器等场合。该器件采用了先进的沟道技术和高可靠性封装,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其主要设计目标是提供低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能,以满足工业控制和能源转换系统中对效率和稳定性的严格要求。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):80A(最大)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为17mΩ
  栅极电荷(Qg):210nC(典型值)
  封装类型:TO-247AC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  漏极雪崩能量:500mJ(典型值)

特性

IXFT80N65X2HV-TRL具备多项优异特性,首先是其低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的高雪崩能量耐受能力使其在突发过压或短路情况下依然保持稳定运行,从而增强系统的可靠性。此外,该MOSFET具有较低的栅极电荷,有助于提高开关速度,减少开关损耗,特别适合高频开关应用。封装方面,采用TO-247AC封装形式,具备良好的散热性能和机械强度,能够在恶劣环境中长期稳定运行。该器件还内置了快速恢复二极管,能够有效减少反向恢复损耗,提高整体系统的效率。
  在热性能方面,IXFT80N65X2HV-TRL表现出色,其热阻(Rth)较低,能够在高负载条件下保持较低的温升,避免因温度过高而导致的性能下降或器件损坏。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电压,便于与各种驱动电路兼容。其优异的抗干扰能力和稳定的开关特性,使其在复杂电磁环境中仍能保持良好性能。

应用

IXFT80N65X2HV-TRL广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. **工业电源与变频器**:在工业电源、不间断电源(UPS)以及变频器中,该MOSFET用于实现高效的能量转换和控制。
  2. **电机驱动系统**:适用于无刷直流电机、伺服电机和步进电机驱动器,提供高效、快速的功率切换能力。
  3. **太阳能逆变器**:在光伏逆变器系统中,作为主功率开关,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
  4. **电动汽车充电系统**:用于车载充电器或充电桩中的DC-AC或DC-DC转换模块,提高充电效率和系统稳定性。
  5. **LED照明与高压电源模块**:适用于高亮度LED驱动和高压直流电源系统,提供稳定高效的功率控制。

替代型号

Infineon IPP65R017CFDAKSA1, STMicroelectronics STF80N65M5, ON Semiconductor NTD80N65C3

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IXFT80N65X2HV-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格400 : ¥94.39515卷带(TR)
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)38 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)140 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-268HV(IXFT)
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA