时间：2025/7/25 13:24:28
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IXFT80N20Q是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率应用。这款MOSFET属于N沟道类型，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于需要高效能功率管理的工业和汽车电子系统。
类型：N沟道
最大漏极电流：80A
最大漏源电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFT80N20Q具有出色的导通和开关性能，能够承受高电流和高电压。它的低导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率，适用于高频开关应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下工作。
该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于多种功率转换器和逆变器设计。其快速恢复二极管特性也使其适用于需要快速切换的应用场景。
在保护特性方面，IXFT80N20Q具备过热保护和过电流保护能力，能够在异常工作条件下防止器件损坏。同时，其抗雪崩能力较强，可以在高能脉冲条件下正常工作。
IXFT80N20Q广泛应用于工业电源、电机驱动、UPS系统、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及各种高功率电子设备中。其高效率和高可靠性的特点使其成为许多高性能功率系统中的首选器件。
IXFN80N20Q, IXFP80N20Q
