类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 9.2mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

IXFT75N10Q 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其导通电阻非常低，仅为 9.2mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 的漏极电流可达 75A，适用于大电流负载应用。此外，器件采用了先进的平面技术，提供出色的热稳定性和长期可靠性。
　　该器件具有较高的热阻能力，确保在高功率操作下的稳定性能。IXFT75N10Q 还具备快速的开关速度，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统响应速度。由于其 TO-247AC 封装具备良好的散热性能，该器件在高功率应用中能有效散热，从而延长使用寿命。
　　另一个显著的优点是其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），使其能够在极端环境条件下正常工作。这种特性特别适合工业控制、汽车电子、新能源系统等对环境适应性要求高的场合。

IXFT75N10Q 广泛应用于需要高效、高功率开关能力的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它被用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关控制；在电机驱动和控制电路中，该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关，提供稳定的电流控制；在逆变器系统中，如太阳能逆变器和UPS不间断电源中，IXFT75N10Q 能有效提升转换效率和可靠性。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备中的功率控制模块，如伺服驱动器、变频器和焊接设备等。由于其优异的热稳定性和高电流承载能力，IXFT75N10Q 也常用于汽车电子系统，如电动汽车的电池管理系统和车载充电器等。

IXFH75N10Q, IXFT75N10P, IXFT75N10T