时间：2025/8/6 6:56:13
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IXFT70N20Q3 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件采用 TO-247 封装，具备高电流能力和低导通电阻的特性，适用于开关电源、电机控制、逆变器和功率因数校正等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds)：200V
栅极-源极击穿电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：70A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.037Ω
封装类型：TO-247
IXFT70N20Q3 具有极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高击穿电压特性使其能够在高压应用中稳定运行，适用于诸如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动等高要求的应用场景。该 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频开关操作，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
此外，IXFT70N20Q3 采用了先进的沟槽栅极技术，提供了更优的热稳定性和更高的可靠性。它能够在高温环境下工作，确保设备在高负载条件下的长期稳定性。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了在异常工况下的安全性。
TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功耗应用中能够有效散热。这种封装也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。由于其高性能和高可靠性，IXFT70N20Q3 广泛应用于工业控制、新能源设备和电源管理系统等领域。
IXFT70N20Q3 常用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、电动车辆的充电系统、太阳能逆变器以及工业电机控制电路。其优异的性能使其成为高效率、高可靠性功率系统的首选器件。
IXFH70N20Q2, IXFN70N20Q, IXFT75N20Q3H1
