时间：2025/8/6 7:23:23
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IXFT6N100Q是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1000V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：最大2.5Ω（典型值2.0Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4.0V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：125W
IXFT6N100Q具备多项优异特性，包括高击穿电压（1000V），可确保在高电压环境下稳定工作；低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率；该MOSFET具有快速开关速度，适合高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提高整体效率；其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景；此外，该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长时间运行。
在驱动方面，IXFT6N100Q的栅极阈值电压范围适中（2.1V至4.0V），可兼容多种控制电路（如PWM控制器或微处理器），方便设计和使用。其最大连续漏极电流为6A，能够满足多数中功率转换器的需求。同时，其最大功率耗散为125W，确保在较高负载下依然能保持良好性能。该器件还具备雪崩能量耐受能力，增强其在突变负载或电压尖峰环境下的稳定性。
IXFT6N100Q广泛应用于多种功率电子系统中，包括高频开关电源、DC-DC升压/降压转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动电路、LED照明驱动器、工业自动化设备以及各种中高电压功率控制模块。由于其具备高耐压、低导通电阻和快速响应特性，非常适合用于需要高效率、高稳定性和高频率操作的电路中。在光伏系统中，该MOSFET可用于逆变器中的DC-AC转换环节，实现太阳能电能的高效转换；在电机控制应用中，它可以作为功率开关用于PWM调速控制，提升电机运行效率；在电源适配器和充电器中，该器件可显著提升转换效率，满足节能环保的要求。
STF6N100M5, FQA6N100, IRFHV100-6N
