时间：2025/8/6 1:26:40
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IXFT60N60X3HV是一款由Littelfuse（前身为IXYS）生产的60A、600V的N沟道增强型功率MOSFET，采用HiPerFET?技术制造，适用于高功率密度和高效率的开关电源应用。该器件具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和优良的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：60A
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.14Ω（最大值0.175Ω）
功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
引脚数：3
栅极电荷（Qg）：典型值为100nC
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
漏极-源极导通压降（Vds(on)）：典型值为1.8V（在60A时）
IXFT60N60X3HV具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
该器件采用HiPerFET?技术，提供卓越的开关性能和高耐用性。
其高雪崩能量能力（EAS）使其能够在高应力条件下保持稳定运行，增强可靠性。
该MOSFET具有良好的热性能，可承受较高的工作温度，并在高温环境下维持稳定的电气特性。
由于其高dv/dt耐受能力，该器件适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和逆变器系统。
TO-247AC封装便于安装散热器，提高散热效率，适合高功率应用场合。
IXFT60N60X3HV广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机以及高频开关电源（SMPS）等。
该器件的高耐压和大电流能力使其成为需要高可靠性和高性能的电力电子系统中的理想选择。
在电动汽车（EV）充电设备、储能系统和智能电网相关应用中，该MOSFET也表现出良好的适应性和稳定性。
此外，其在高频变换器和功率因数校正（PFC）电路中的应用也有助于提升整体能效和系统响应速度。
IXFH60N60X2, IXFN60N60P, IRFP460LC
