时间：2025/7/18 15:36:24
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IXFT58N20 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高功率和高效率的应用。该器件具有较低的导通电阻，同时能够承受较高的漏极电流和电压，使其适用于开关电源、电机控制、逆变器和其他功率转换设备。IXFT58N20 采用 TO-247AC 封装，具有良好的散热性能，适合高电流操作。
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds): 200V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 58A @25℃
导通电阻(Rds(on)): 0.038Ω @Vgs=10V
漏极电容(Coss): 670pF
工作温度范围: -55℃ 至 +150℃
封装类型: TO-247AC
IXFT58N20 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，其 Rds(on) 仅为 0.038Ω，这使得它在高电流条件下依然能够保持较低的功率损耗。此外，该器件的最大漏极电流为 58A，在高功率密度设计中表现出色。
另一个重要特性是其高耐压能力，最大漏源电压为 200V，使其适用于中高功率应用。IXFT58N20 还具有良好的热稳定性和较高的雪崩能量耐受能力，有助于在极端工作条件下保持器件的可靠性。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-247AC，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而保证器件在高负载条件下的稳定运行。此外，该封装也便于安装在散热片上，提高系统的整体热管理能力。
IXFT58N20 还具备快速开关特性，这使其在高频开关应用中表现优异。较低的栅极电荷（Qg）和漏极电容（Coss）有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。这对于需要高频操作的电源转换器和逆变器来说尤为重要。
总的来说，IXFT58N20 在导通电阻、耐压能力、热管理和开关性能方面都表现出色，是一款适用于多种高功率应用场景的高性能 MOSFET 器件。
IXFT58N20 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）中的功率开关器件。在这些应用中，IXFT58N20 能够有效降低功率损耗，提高转换效率，同时减少对散热系统的要求。
此外，该器件也广泛用于电机控制和驱动电路中，尤其是在工业自动化和电动汽车控制领域。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能够适应频繁的开关操作和高负载条件。
在太阳能逆变器和储能系统中，IXFT58N20 也被广泛采用。其快速开关能力和高耐压性能使其能够在高频工作条件下保持高效能，同时提高系统的可靠性和寿命。
该器件还可用于直流-直流（DC-DC）转换器、不间断电源（UPS）系统以及各种类型的功率放大器。由于其 TO-247AC 封装便于安装和散热管理，因此在需要高功率输出的音频放大器和工业设备中也具有广泛的应用前景。
IRF58N20D, STP58N20M5, FDP58N20
