时间：2025/8/6 0:03:12
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IXFT4N100 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件适用于高功率和高频应用，例如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。IXFT4N100 采用了先进的高压技术，具有较高的击穿电压和良好的导通性能，适合需要高效能和高可靠性的系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：1000 V
栅极-源极电压（VGS）：±30 V
漏极电流（ID）@ 25°C：4 A
功耗（Ptot）：150 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：约 2.5 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：约 70 nC
封装类型：TO-220AB
IXFT4N100 具有多个重要的电气和物理特性，使其适用于多种高功率应用。首先，它的高漏极-源极电压（VDS）达到 1000 V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）较低，约为 2.5 Ω，这有助于减少导通损耗并提高效率。此外，IXFT4N100 的栅极电荷（Qg）较低，约为 70 nC，这意味着其开关速度较快，减少了开关损耗。
该器件采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作。IXFT4N100 的栅极-源极电压为 ±30 V，提供了较高的驱动灵活性，并且具备良好的抗过压能力。
此外，IXFT4N100 还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频应用中的寄生振荡和损耗。其漏极电流额定值为 4 A（在 25°C 下），适用于中等功率的开关和放大应用。整体而言，IXFT4N100 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适合用于各种高电压和高功率场景。
IXFT4N100 主要用于需要高压和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机驱动器和工业控制系统。由于其高耐压特性，IXFT4N100 也常用于照明设备、电源管理模块以及消费类电子产品中的功率转换电路。此外，该器件还可用于高频放大器和射频（RF）功率应用，提供高效的功率输出。
IXFT4N100P, IXFH4N100
