时间：2025/8/5 23:22:37
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IXFT26N60是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压和高电流特性，适用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的平面技术，提供了优良的热性能和高可靠性。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：26A
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：0.24Ω
功率耗散(Pd)：200W
IXFT26N60具有低导通电阻，能够有效降低功耗并提高效率。该MOSFET采用平面技术制造，提供了良好的热稳定性和高可靠性。此外，它具有快速开关特性，适用于高频开关应用。
这款MOSFET的封装设计有助于有效散热，使其能够在高负载条件下稳定工作。其高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景，如电源转换器、电机控制和工业设备。
IXFT26N60常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统以及工业自动化设备等应用中。其高耐压和高电流特性使其在需要高效能功率管理的场合中表现出色。
IRF260N, FDPF26N60, STF26N60
