时间：2025/8/5 19:08:51
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IXFT220N20X3HV是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET器件，专为高效率电源转换和工业控制应用而设计。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和更高的电流承载能力，适用于需要高可靠性和高性能的场合。
类型：MOSFET
额定电压：200V
额定电流：220A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ
封装类型：TO-264
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电荷（Qg）：120nC
短路耐受能力：有
功率耗散：400W
IXFT220N20X3HV MOSFET具有多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力和优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，提升了器件在异常工作条件下的可靠性。
器件采用了先进的沟槽栅极结构，提高了沟道密度并降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。TO-264封装形式提供了良好的散热性能，并兼容多种功率模块设计。该MOSFET还具备较快的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。
IXFT220N20X3HV广泛应用于各种高功率和高效率电源系统，如DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。由于其出色的电气性能和热管理能力，该器件也非常适合用于电动汽车充电设备、储能系统和高功率LED照明驱动器。
IXFH220N20P3, IXFN220N20X3
