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IXFT17N80Q 时间：2024/9/24 10:09:47 阅读：138

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：HiPerFET?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：600毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：800V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：17A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：95nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：3600pF 25V
　　功率-最大：400W

封装参数

安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-268
　　包装：散装

IXFT17N80Q推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXFT17N80Q
深圳市优尚半导体科技有限公司
7784
DIODES
2023+/TO268(D3

IXFT17N80Q
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
IXYS
23+/TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) TO268AA

IXFT17N80Q
深圳市励芯恒智能科技有限公司
14850
IXYS/艾赛斯
2022+/TO268(D3

IXFT17N80Q
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
32365
IXYS
19+/TO268(D3

IXFT17N80Q
深圳市创芯联盈电子有限公司
9000
IXYS
22+/TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) TO268AA

IXFT17N80Q
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 800V 17A TO268(D3)

IXFT17N80Q
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) TO268AA

IXFT17N80Q
深圳市腾桩电子有限公司
9000
IXYS
23+/TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) TO268AA

IXFT17N80Q
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

IXFT17N80Q
深圳市华琳达科技有限公司
69000
IXYS/艾赛斯
21+/TO268(D3

IXFT17N80Q
深圳市广弘电子有限公司
32365
IXYS/艾赛斯
TO268(D3)/19+

IXFT17N80Q
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
24+/TO268

IXFT17N80Q
深圳市恒芯巨能电子有限公司
23000
IXYS
23+/-

IXFT17N80Q
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
IXYS
22+/TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) TO268AA

IXFT17N80Q
深圳市科祥威电子科技有限公司
15000
IXYS
21+/TO268

IXFT17N80Q
深圳市友和电子有限公司
32365
IXYS/艾赛斯
TO268(D3)/19+

IXFT17N80Q相关型号推荐

IC词条百科

IXFT17N80Q参数

标准包装1
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3600pF @ 25V
功率 - 最大400W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装TO-268
包装散装

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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