IXFT14N100 时间：2024/9/24 10:42:37 阅读：252

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：HiPerFET
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：750毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：1000V(1kV)
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：14A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4.5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：220nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：4500pF 25V
　　功率-最大：360W

封装参数

安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-268
　　包装：管件

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IXFT14N100
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IXFT14N100参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
功率 - 最大360W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装TO-268
包装管件