时间：2025/8/5 16:50:21
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IXFT140N10P-TRL 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能、高电流和高电压处理能力的电源管理系统中。该器件设计用于在极端条件下提供稳定和可靠的性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关和逆变器等应用。IXFT140N10P-TRL 采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高雪崩能量承受能力和高耐用性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
漏极电流（ID）@ 25°C：140 A
导通电阻（RDS(on)）：最大 5.8 mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 3.5 V
功率耗散（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
IXFT140N10P-TRL 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率。此外，该器件具有出色的热性能和电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高雪崩能量承受能力确保了在瞬态过压情况下的可靠性。该 MOSFET 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作。此外，其坚固的结构设计和高耐用性使其适用于严苛的工业和汽车应用环境。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了良好的器件间一致性，降低了生产过程中的参数偏差。此外，IXFT140N10P-TRL 在高温下仍能保持良好的性能，适合在高温环境中使用，而不会显著降低其电气特性。
IXFT140N10P-TRL 主要用于高功率 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电动车辆（EV）充电系统、工业电机驱动器、逆变器以及高功率开关电源（SMPS）等应用。由于其高电流处理能力和低导通电阻，它也常用于电池管理系统（BMS）中的功率控制部分，以及需要高效率和高可靠性的电源管理模块。
SiHF140N10DY-TM-E, APT140N10B2LL-TR
