时间：2025/8/5 21:04:48
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IXFT120N30X3HV 是一款由 IXYS 公司制造的高功率、高效率的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247AC 封装形式。该器件适用于高功率开关应用，如电源转换器、马达控制、UPS（不间断电源）和逆变器等。这款 MOSFET 采用第三代 XPT?（eXtra Power Technology）技术，提供卓越的导通和开关性能，同时具备良好的热稳定性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：300V
最大漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（最大值，典型值 14mΩ）
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4000pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXFT120N30X3HV 采用 IXYS 的 XPT? 第三代技术，提供卓越的导通和开关性能，使其在高功率应用中表现出色。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率，从而实现更高的功率密度。
其高电流承载能力和耐高温特性确保在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性，适用于工业和高功率密度设计。
此外，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗并提高开关速度，从而优化高频应用中的性能。
TO-247AC 封装提供了良好的热管理能力，有助于快速散热，确保长时间高负载运行下的稳定性。
该器件还具有较强的抗雪崩能力，增强了在高能量应力环境下的耐用性，适用于各种严苛应用场景。
IXFT120N30X3HV 广泛应用于需要高功率密度和高效能的系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、马达驱动器、焊接设备以及工业自动化控制系统等。
它适用于需要高电流、高电压切换能力的场合，特别是在高频开关应用中，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。
此外，该 MOSFET 还可用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，以提升能量转换效率。
由于其出色的热稳定性和可靠性，IXFT120N30X3HV 也适合在恶劣环境条件下运行，如高温、高湿度或高振动环境中使用的工业设备和电力电子系统。
IXFH120N30X3HVK, IXFT160N30X3HV, IXFT100N30X3HV
