时间：2025/8/5 21:18:00
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IXFT100N30X3HV 是由 IXYS 公司生产的一款高功率、高效率的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高电流和高电压承受能力的功率电子系统中。该器件采用先进的平面技术，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于如电源转换器、电机驱动、电池充电器和工业控制系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大漏极电流（Id）：100A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.6mΩ（在 Vgs = 10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1V 至 4.0V（在 Id = 250μA）
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
IXFT100N30X3HV 的核心特性包括其卓越的导通性能和极低的 Rds(on) 值，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的平面技术，能够承受高电流和高电压，同时提供良好的热稳定性。此外，该器件具有快速的开关特性，减少了开关损耗，使其非常适合高频应用。其坚固的封装设计（TO-247AC）提供了优异的热管理和机械稳定性，适用于严苛的工作环境。
IXFT100N30X3HV 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端条件下保持稳定运行。其低栅极电荷（Qg）设计有助于进一步减少开关损耗，并简化驱动电路的设计。此外，该器件的短路耐受能力也使其在工业电机控制和高功率电源转换器中表现出色。
该 MOSFET 在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，使其在高频率应用中不会产生过多的噪声，同时其高 dv/dt 耐受能力确保了系统运行的稳定性。
IXFT100N30X3HV 广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电管理系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通性能和高耐压能力，该 MOSFET 非常适合用于高频功率转换和高电流负载的控制场景。
IXFN100N30X3H
