时间：2025/8/6 10:37:20
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IXFR58N20 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率密度和高效率的应用。该器件采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力。IXFR58N20 通常用于电源转换系统、电机控制、逆变器、电池管理系统以及其他需要高电压和高电流性能的工业和汽车电子应用。该器件的封装形式为 TO-263（D2Pak），适用于表面贴装工艺，具备良好的热管理和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）@ 25°C：58A
漏极电流（ID）@ 100°C：37A
导通电阻（RDS(on)）：最大 38mΩ
功率耗散（PD）：310W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
IXFR58N20 具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），通常低于 40mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。此外，IXFR58N20 的漏源电压额定值为 200V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和电机驱动系统。
其次，该 MOSFET 的最大漏极电流在 25°C 下可达 58A，但在高温环境下仍能保持良好的性能，确保在恶劣工作条件下稳定运行。其高功率耗散能力（310W）和优异的热管理性能使其在需要连续高负载工作的应用中表现突出。
另外，IXFR58N20 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30V，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和稳定性。最后，TO-263（D2Pak）封装不仅便于表面贴装，还具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
IXFR58N20 广泛应用于多个高功率电子系统中。常见的应用包括但不限于：电源管理系统（如开关电源、DC-DC 转换器和逆变器）、电机驱动和控制电路、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电模块。在电源转换系统中，IXFR58N20 可用于高效能的同步整流器或功率因数校正（PFC）电路，提高系统效率。在电机控制方面，该器件可以作为功率开关，用于调节电机速度和扭矩。此外，在工业自动化和机器人系统中，IXFR58N20 也可用于高精度的功率控制电路。
IXFH58N20, IXFN58N20, IRFP4668, STP55N20
