时间：2025/9/4 10:34:11
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IXFR4N100Q是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装，适用于各种高效率电源转换器、电机控制和逆变器系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：4A
漏源电压：1000V
栅源电压：±30V
导通电阻：2.2Ω（最大）
功耗：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
IXFR4N100Q具有低导通电阻，能够提供高效的功率转换性能。该器件的高耐压特性使其适用于高电压环境下的开关操作。此外，其优异的热稳定性和可靠性确保了在恶劣工作条件下的长期稳定运行。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率。TO-247封装提供了良好的散热性能，适合高功率应用。
该器件的栅极驱动要求较低，可在较宽的栅源电压范围内正常工作，使其与多种驱动电路兼容。其坚固的设计结构也提供了良好的短路和过载保护能力。
IXFR4N100Q广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器和逆变器等电力电子设备中。此外，它也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业自动化控制设备中的高功率开关电路。
IXFR4N100P, IXFR4N100Q2, IRF840
