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IXFR48N60Q3 发布时间 时间:2025/12/26 20:23:14 查看 阅读:9

IXFR48N60Q3是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能高压MOSFET晶体管,属于OptiMOS?系列。该器件专为高效率电源转换应用而设计,适用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动系统等场景。其额定电压为600V,连续漏极电流可达48A(在25°C下),具备出色的导通电阻与栅极电荷平衡特性,有助于降低传导和开关损耗,从而提升整体能效。IXFR48N60Q3采用先进的沟槽式场截止技术制造,具有较低的反向恢复电荷(Qrr)和体二极管正向压降(Vf),进一步优化了高频开关性能。该器件封装形式为TO-247,具备良好的热传导能力和机械稳定性,适合在高温环境下运行。
  作为一款增强型N沟道功率MOSFET,IXFR48N60Q3需要适当的栅极驱动电路来确保快速且可靠的开关动作。其输入电容较小,能够减少驱动功耗,同时具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了系统在瞬态过压情况下的鲁棒性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101汽车级认证,使其不仅适用于工业领域,也广泛应用于车载充电系统、新能源发电设备及电动汽车相关电力电子装置中。

参数

型号:IXFR48N60Q3
  制造商:Infineon Technologies
  产品系列:OptiMOS? 3
  封装类型:TO-247
  极性:N沟道
  击穿电压(VBR DSS):600 V
  连续漏极电流(ID @ 25°C):48 A
  脉冲漏极电流(IDM):192 A
  导通电阻(RDS(on) max):0.085 Ω @ 10V VGS
  栅极阈值电压(VGS(th)):3.0 ~ 4.0 V
  最大栅源电压(VGS max):±20 V
  最大工作结温(Tj max):150 °C
  输入电容(Ciss):3580 pF @ 25V VDS
  输出电容(Coss):158 pF @ 25V VDS
  反向恢复时间(trr):33 ns @ IF = 12A, dI/dt = 100A/μs
  栅极电荷(Qg):185 nC @ 10V VGS
  功率耗散(Ptot):300 W @ TC = 25°C

特性

IXFR48N60Q3的核心优势在于其优化的硅工艺技术和卓越的电气性能表现,使其在同类600V MOSFET产品中处于领先地位。该器件采用了英飞凌独有的OptiMOS? 3沟槽式场截止结构,这种设计显著降低了单位面积的导通电阻,从而实现了极低的RDS(on),仅为85mΩ(在VGS=10V时)。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗,对于提高电源系统的整体效率至关重要,尤其是在大电流应用场景中效果尤为明显。同时,该器件具备非常低的栅极电荷(Qg = 185nC),这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少,进而降低了控制器的负担并减少了开关过程中的动态损耗。
  另一个关键特性是其优异的开关行为。IXFR48N60Q3拥有较低的输出电容(Coss)和反馈电容(Crss),这有助于减小开关延迟和上升/下降时间,实现更快的开关速度。配合其33ns的短反向恢复时间(trr),即使在硬开关拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激电路中也能有效抑制体二极管反向恢复带来的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统可靠性。此外,该器件具备较强的抗雪崩能力,能够在非钳位感性负载条件下承受一定的重复性雪崩能量,增强了在异常工况下的生存能力。
  从热管理角度看,TO-247封装提供了优良的散热路径,结合高达300W的功率耗散能力(在理想散热条件下),使得IXFR48N60Q3可以在较高环境温度下稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)支持严苛工业与汽车应用需求。更重要的是,该器件通过AEC-Q101认证,表明其在可靠性测试(如高温反偏、温度循环、湿度敏感性等)方面达到了车规级标准,因此可被用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)、车载充电机(OBC)等对安全性要求极高的场合。最后,其绿色环保属性(无铅、无卤素)也符合现代电子产品可持续发展的趋势。

应用

IXFR48N60Q3凭借其高电压等级、低导通电阻和优秀开关特性,广泛应用于多种中高功率电源转换系统。典型的应用包括工业用开关电源(SMPS),尤其是服务器电源、通信电源模块和高端PC电源中的主开关管或同步整流控制单元。在这些系统中,它通常作为初级侧的高压MOSFET工作于数百kHz频率下,利用其低Qg和低RDS(on)优势实现高效能量转换。
  此外,该器件也常见于太阳能微型逆变器和光伏汇流箱中的DC-AC转换电路,负责将太阳能板产生的直流电高效地转化为交流电并入电网。由于其具备良好的高温稳定性和抗雪崩能力,在户外复杂气候条件下仍能保持可靠运行。
  在电机驱动领域,IXFR48N60Q3可用于中小功率交流变频器、伺服驱动器或电动工具中的功率级模块,承担PWM调制下的高速开关任务。其快速响应特性和低损耗有助于提升电机控制精度与能效等级。
  值得一提的是,得益于其通过AEC-Q101认证,该器件也被广泛应用于汽车电子系统,例如车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、电池管理系统(BMS)辅助电源以及各类车载高压负载控制电路。在这些应用中,器件不仅要承受剧烈的温度变化和振动冲击,还需满足功能安全与长期稳定性要求,而IXFR48N60Q3正是为此类严苛条件所设计的理想选择。

替代型号

IPP60R099CE

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IXFR48N60Q3参数

  • 特色产品Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C154 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7020pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件