时间：2025/8/7 14:14:57
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IXFR34N80 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于需要高电压和高电流能力的电源管理与功率转换应用。这款 MOSFET 采用了先进的平面技术，提供了优异的导通和开关性能，适用于各种工业和商业设备。IXFR34N80 的最大漏极-源极电压（VDS）为 800V，最大连续漏极电流（ID）为 34A，在适当的散热条件下可以支持高功率密度的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：800V
最大连续漏极电流（ID）：34A
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.17Ω（在 VGS = 10V 时）
栅极电荷（Qg）：典型值为 90nC
输入电容（Ciss）：典型值为 1500pF
IXFR34N80 MOSFET 以其卓越的电气性能和可靠性著称。其高击穿电压能力（800V）使其在高压环境中具有优异的表现，适用于如电源转换器、电机控制和工业自动化等应用场景。该器件具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXFR34N80 在开关性能方面表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关应用非常重要。
该器件的热稳定性也经过优化，能够在高负载条件下保持良好的性能，确保长时间运行的可靠性。IXFR34N80 采用 TO-247 封装，便于散热并适用于多种电路板布局。此外，该器件具有良好的抗短路能力和过热保护特性，能够在恶劣的工作环境中提供稳定的性能。
IXFR34N80 MOSFET 主要用于高压和高功率的应用场景，例如交流-直流（AC-DC）电源转换器、直流-直流（DC-DC）变换器、不间断电源（UPS）、电机驱动和变频器等。其高耐压和高电流能力使其在工业控制系统中非常受欢迎，尤其是在需要高可靠性和高效能的场合。此外，该器件也常用于太阳能逆变器、电池充电系统以及各种电力电子设备中的开关元件。
IXFH34N80P, IRFP460LC, STW43NM80
