IXFR30N50 时间：2025/8/22 16:55:20 阅读：9

IXFR30N50是一款由IXYS公司制造的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频率应用，如电源供应器、电机驱动和逆变器设计中。该器件采用TO-247封装，具有良好的热稳定性和低导通电阻特性，适合需要高效率和高性能的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω（最大值为0.18Ω）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装：TO-247

特性

IXFR30N50具有低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，使其适用于高压应用。其封装设计优化了热管理，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。此外，该器件的开关速度较快，适合用于高频率开关应用，从而减小外部滤波器元件的尺寸和成本。该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在严苛环境下的可靠性。
　　另外，IXFR30N50的栅极电荷较低，这有助于减少驱动电路的功率需求，提高整体系统效率。由于其坚固的设计和优异的热性能，该MOSFET可在高温环境下稳定运行。该器件还符合RoHS环保标准，适用于各种绿色能源和高效电源设计。

应用

IXFR30N50广泛应用于多种高功率和高频电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、UPS系统、逆变器、照明镇流器和工业自动化设备。其优异的电气特性和热管理能力使其成为高效能电源管理解决方案的理想选择。此外，它也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备，以提供高效、可靠的功率转换。