时间：2025/8/5 22:25:08
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IXFR10N100F是一款由IXYS公司设计的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压特性，适用于电源转换、电机控制以及工业自动化等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：0.58Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：22nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
IXFR10N100F的主要特性是其低导通电阻，这可以显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，它具有较高的耐压能力，可承受高达100V的漏-源电压，使其适用于各种中高功率应用。
该MOSFET还具有较低的栅极电荷，这有助于减少开关损耗并支持高频操作。同时，它的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，确保其在恶劣环境条件下也能稳定运行。
IXFR10N100F采用TO-220封装形式，这种封装便于散热，并且易于安装在标准的散热片上，从而提升散热效率。由于其优良的电气特性和热管理能力，这款MOSFET在电源管理和工业控制领域具有广泛的应用前景。
IXFR10N100F广泛应用于各类电源管理设备，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机控制器等。其高频特性使其特别适合需要快速开关的应用场景，如变频器、工业自动化设备和电动车控制系统。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统和负载开关电路，以实现高效的能量管理和控制。
STP10NK10Z, IRFZ44N
