时间：2025/8/6 0:39:56
阅读：44
IXFQ140N20X3 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用。该器件设计用于电源转换、电机控制、逆变器以及其它需要高效、高可靠性的电力电子系统中。该MOSFET采用先进的平面技术，提供出色的导通电阻和开关性能，确保在高负载条件下依然能够稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.5mΩ（典型值 4.8mΩ）
最大栅极电荷（Qg）：约 150nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-264
功率耗散（Pd）：300W
IXFQ140N20X3 的核心优势在于其卓越的导通性能和低开关损耗，使其非常适合用于高频率开关电源和功率变换器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，其较高的额定电流能力和强大的热稳定性确保在高负载条件下仍能保持良好性能。
该MOSFET采用了坚固的硅技术，具有良好的短路耐受能力和过载保护性能。其 TO-264 封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，IXFQ140N20X3 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 10V 至 20V 之间工作，使其兼容多种栅极驱动电路。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。这使得 IXFQ140N20X3 成为工业电机驱动、电源管理、UPS 系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高可靠性应用的理想选择。
IXFQ140N20X3 广泛应用于多个高性能功率电子领域。在电源转换系统中，它常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器以及同步整流电路，以提高能量转换效率并减小系统体积。在电机控制领域，该MOSFET适用于高性能变频器和伺服驱动器，提供稳定的功率输出和快速响应能力。
在新能源领域，IXFQ140N20X3 被广泛应用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率模块，用于高效地将可再生能源转换为交流电并馈入电网。此外，它也适用于不间断电源（UPS）系统，以确保在市电中断时能够迅速切换至电池供电，保障关键设备的持续运行。
由于其出色的性能和可靠性，该器件也常用于电动汽车充电系统、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等汽车电子应用中，满足现代汽车对高效率和高可靠性的需求。
IXFN140N20X2, IXFN140N20T, IXFQ140N20X3SA
