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IXFP60N25X3M 发布时间 时间:2025/8/6 11:43:54 查看 阅读:12

IXFP60N25X3M 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率应用。这款MOSFET采用了先进的技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于开关电源、电机控制、照明系统以及各种工业和汽车电子应用。IXFP60N25X3M的设计优化了热性能和电气性能,使其能够在高负载条件下保持稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):250V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.021Ω(典型值为0.018Ω)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-247AC

特性

IXFP60N25X3M具有多个显著的电气和热性能优势。首先,它的低导通电阻(Rds(on))可以显著减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。这对于需要高效率的电源转换和电机控制应用尤为重要。
  其次,该器件支持高达60A的连续漏极电流,使其能够处理高功率负载。这种高电流能力使其非常适合用于大功率开关电源和电机驱动电路。
  此外,IXFP60N25X3M的工作电压为250V,适用于中高压应用。其栅极阈值电压范围为2V至4V,这意味着它可以轻松与常见的逻辑电路(如微控制器)配合使用,实现快速和可靠的开关操作。
  为了确保在恶劣环境下的可靠性,IXFP60N25X3M具有宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),并且采用TO-247AC封装,这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和使用。
  最后,该MOSFET的内部结构设计优化了开关性能,减少了开关损耗,使其在高频应用中表现优异。这对于提高电源系统的整体效率和减小系统尺寸非常有帮助。

应用

IXFP60N25X3M被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **开关电源(SMPS)**:由于其高效率和低导通电阻,IXFP60N25X3M非常适合用于开关电源中的功率转换电路。
  2. **电机控制**:在电机驱动电路中,它能够提供高电流输出,适用于工业自动化和电动车控制系统。
  3. **照明系统**:在高强度放电(HID)灯或LED照明系统的电源管理中,该MOSFET能够提供稳定的功率控制。
  4. **逆变器和UPS系统**:IXFP60N25X3M的高功率能力和可靠性使其成为不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等应用的理想选择。
  5. **汽车电子**:在汽车应用中,如电动助力转向系统(EPS)和车载充电器,IXFP60N25X3M的高可靠性和热稳定性可以满足汽车电子的严格要求。

替代型号

STP60N250M5, FDPF60N25T4

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IXFP60N25X3M参数

  • 现有数量34现货1,200Factory
  • 价格1 : ¥66.54000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3610 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB(IXFP)
  • 封装/外壳TO-220-3