时间：2025/8/5 21:28:02
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IXFP36N60X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，设计用于高电压和高电流应用。该器件采用 TO-247 封装，适用于开关电源、逆变器、电机控制和工业自动化等要求高性能的电路中。其主要优势在于低导通电阻、高耐压能力和卓越的热性能。
类型: N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）: 600V
漏极电流（ID）: 36A
导通电阻（RDS(on)): 最大值 0.145Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）: 4.5V~6.5V
最大工作温度: 150°C
封装形式: TO-247
IXFP36N60X3 的核心特性之一是其出色的导通性能，低 RDS(on) 使得在高电流应用中可以减少导通损耗，提高整体系统效率。
此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行，避免因电压尖峰而导致的损坏。
其封装设计提供了良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
此外，IXFP36N60X3 的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，使其在高频应用中表现更佳。
由于其高可靠性，该器件常用于工业电源、电机驱动器和逆变器等要求严苛的应用场景。
IXFP36N60X3 主要用于需要高电压和高电流处理能力的工业和电力电子设备。常见应用包括开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、电机控制器、不间断电源（UPS）系统、电焊设备和高功率 DC-DC 转换器。
其快速开关特性和低导通电阻也使其适用于电动汽车充电系统、电池管理系统和工业自动化控制系统。
在这些应用中，IXFP36N60X3 可以提供高效的功率转换，同时保持良好的热管理和系统稳定性。
IXFP36N60P、IRFP460LC、STP36NF06、FDPF36N60FT
