时间：2025/8/6 3:13:46
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IXFP26N30X3 是由英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统等场景。IXFP26N30X3 采用先进的技术制造，提供出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：300V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：26A
导通电阻（RDS(on)）：最大0.15Ω
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXFP26N30X3 具备多项显著特性，包括低导通电阻、高耐压能力和卓越的热管理性能。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件支持高达300V的漏源电压，能够应对高电压应用需求。此外，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
该MOSFET采用先进的硅技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。其高栅极驱动电压容忍度（±20V）增强了在不同工作条件下的稳定性和耐用性。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，确保在极端条件下不会轻易损坏。IXFP26N30X3 还具有出色的短路耐受能力，适合需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
IXFP26N30X3 主要应用于各种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件也广泛用于汽车电子中的电源管理和能量转换模块，如车载充电器和DC-AC逆变器。此外，IXFP26N30X3 还适用于需要高效率和高可靠性的家电和消费电子产品中的功率管理电路。
IXFH26N30X3, IRFP260N, FDPF26N30
