时间：2025/8/5 16:43:15
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IXFP16N85XM是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流的应用。这款晶体管采用了先进的平面MOSFET技术，提供了卓越的性能，如低导通电阻、高效率和高可靠性。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种工业应用中。IXFP16N85XM采用TO-247封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：850V
最大漏极电流(Id)：16A
最大导通电阻(Rds(on))：0.25Ω
栅极电荷(Qg)：65nC
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXFP16N85XM具有多项优越的电气特性，使其在高性能应用中表现出色。其850V的最大漏源电压使其适用于高电压操作环境，而16A的最大漏极电流确保其能够处理较大的负载电流。该器件的低导通电阻（0.25Ω）减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，其65nC的栅极电荷值较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度。TO-247封装设计不仅提供了良好的热管理性能，还能有效散发工作过程中产生的热量。
这款MOSFET具备出色的短路耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。其设计还优化了抗雪崩能力，确保在高压应用中具有良好的耐用性和稳定性。此外，IXFP16N85XM的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，这使得它适用于多种栅极驱动电路配置。
IXFP16N85XM广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备。在开关电源中，该器件可以用于主开关拓扑结构，如反激式和正激式转换器，以提供高效率和稳定输出。在电机控制应用中，IXFP16N85XM可用于驱动直流电机和步进电机，实现精确的速度和扭矩控制。此外，它还可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和焊接设备等高功率应用中，提供可靠的功率处理能力。
IXFH16N85Q, IXFK16N85XM
