时间：2025/8/5 14:41:09
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IXFP16N85X是一款由IXYS公司制造的高电压、高功率MOSFET晶体管，适用于高效率电源转换和功率控制应用。这款晶体管采用先进的技术设计，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适合用于各种工业和消费类电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：850V
最大漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.32Ω（最大）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
栅极电压(Vgs)：±30V
漏极-源极击穿电压(BR)：850V
漏极-源极饱和电流(Idss)：16A
栅极电荷(Qg)：67nC
反向恢复时间(trr)：260ns
IXFP16N85X具有低导通电阻的特点，这使得在导通状态下功率损耗最小，提高了整体效率。其高电压和高电流能力使其适用于高功率应用。该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理和散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。此外，IXFP16N85X的高开关速度有助于减少开关损耗，使其在高频应用中表现出色。该晶体管还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高栅极电压耐受能力提供了更强的抗干扰性能，确保在复杂电磁环境中可靠运行。此外，IXFP16N85X的反向恢复时间较短，有助于减少开关损耗并提高转换效率。
IXFP16N85X广泛应用于高功率电源转换设备，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和UPS系统。它还可用于工业自动化设备、电动工具、照明系统以及消费类电子产品中的高功率控制电路。由于其高电压和高效率特性，IXFP16N85X特别适合用于需要高可靠性和高稳定性的电源管理系统。
IXFP16N85X, IXFH16N85X
