时间：2025/8/6 6:41:04
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IXFN94N50P2 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）推出的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压、高电流的工作环境，例如电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。该器件采用了先进的平面 HEXFET? 技术，具备低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：500 V
最大漏极电流 (ID)：94 A（在 TC=25°C 时）
导通电阻 (RDS(on))：典型值 35 mΩ，最大值 45 mΩ（在 VGS=10 V 时）
栅极阈值电压 (VGS(th))：2.0 V 至 4.0 V（在 ID=250 μA 时）
最大栅极电压：±20 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AC
IXFN94N50P2 是一款高性能功率 MOSFET，具备多项关键特性。其采用的 HEXFET? 技术使得该器件在高压条件下依然保持极低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高能效。此外，该 MOSFET 具备优异的雪崩能量承受能力，能够在高压开关过程中承受瞬态过压，从而增强系统可靠性。
该器件的热阻较低，配合 TO-247AC 封装形式，能够有效散热，在高电流工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽广，兼容标准逻辑电平驱动器，便于在多种应用中使用。同时，IXFN94N50P2 具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器等应用。
此外，该器件具备出色的抗短路能力，能够在极端工作条件下提供良好的保护性能。其封装材料符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和汽车级应用环境。
IXFN94N50P2 被广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业电源、不间断电源 (UPS)、电机控制、直流-直流转换器、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。由于其高耐压能力和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于高效率功率转换系统，如同步整流器、半桥和全桥拓扑结构中的开关器件。此外，该器件也可用于高频逆变器和脉宽调制 (PWM) 控制器中，提供快速响应和稳定的开关性能。
IXFN94N50P2 可以替代的型号包括 IXFH94N50P、IRFPH50T94LPBF、STF94N50M2、SiHPx50N94T 等具有相似参数和封装形式的 N 沟道 MOSFET 器件。在选择替代型号时，应确保替代器件的 VDS、ID 和 RDS(on) 参数满足系统要求，并确认其封装形式和热性能适配原设计。
