时间：2025/8/5 16:27:07
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IXFN90N170SK是一种高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件专为高电压和高电流应用而设计，适用于需要高效能和可靠性的电力电子系统。IXFN90N170SK采用TO-247封装，便于安装和散热，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：1700V
漏极连续电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.045Ω
栅极电荷（Qg）：约200nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
IXFN90N170SK具有多项优越的电气和物理特性，使其适用于高功率应用。首先，其高击穿电压（1700V）允许在高压系统中使用，如电源供应器和逆变器。其次，低导通电阻确保了在大电流条件下的低功耗和高效率。此外，该MOSFET的高电流承载能力（90A）使其适用于需要高输出功率的系统。IXFN90N170SK还具备良好的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作环境下长期运行。由于其快速开关特性，该器件可以减少开关损耗，提高整体系统效率。最后，TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于集成到各种电路板设计中。
IXFN90N170SK广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。由于其高电压和高电流能力，该MOSFET也常用于需要高可靠性和高性能的电力电子转换系统。此外，它还可用于高频开关电源和焊接设备等特殊应用。
IXFN90N170PBF
